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商用氧化铟锡(ITO)一直是导电膜市场最为常见的材料，牢牢占据着主要市场份额。随着科技的发展，人们对导电膜材料提出了更高的要求，希望下一代材料在满足高光电性能的同时，能够具有柔性来支撑可穿戴智能设备的发展，而传统ITO无法满足该要求，同时过高的成本进一步限制了该材料在未来光电子领域的突破。 石墨烯作为一种二维材料，具有与众不同的特性，比如优异的光电性能，同时机械性能也很良好，是众多替代ITO材料中的一种。论文主要内容如下: 首先通过电化学-氧化两步法，制备了具有较大尺寸的氧化石墨烯(GO-E)，之后通过一系列表征如SEM、FT-IR、XPS、XRD等方法，确立了合成样品的结构，并与常规法制得的氧化石墨烯(GO-C)作对比。通过液相旋涂法制得了GO膜，采用化学还原和高温热处理，发现氢碘酸的还原效果要好于抗坏血酸，以及热处理温度越高导电膜电学性能越好。在化学还原和高温热处理(1000℃)的协同作用下，制得了最佳石墨烯导电膜，其在76.7％(550nm)时相应的方块电阻值为2711Ω/sq。 采用多元醇法合成了高长径比银纳米线，最高长径比可达1000。将其分散在乙醇中配制成不同浓度的分散液，确认最佳旋涂银纳米线浓度。旋涂浓度为2mg/mL时，制得的银纳米线膜的方块电阻值为494Ω/sq，透光率为94.2％。之后将该浓度银纳米线膜与不同尺寸GO复合并还原(VC)，同时改变复合膜结构探究其对导电膜性能的影响。氧化石墨烯的引入可降低银纳米线间的接触电阻，同时也可降低银纳米线表面粗糙度。最终导电性最强薄膜为rGO-E/Ag/rGO-E膜，方阻值约为44Ω/sq，对应透光率为86.5％;综合性能参数FOM最高为GO-E/Ag/GO-E膜，该值为88.4，相应的方阻值和透光率分别约为53Ω/sq和92.4％。大尺寸石墨烯使复合膜的柔性和抗氧化性优于常规尺寸石墨烯复合膜;三层结构复合膜性虽然透光率低于双层复合膜，但该结构带来了导电性，耐弯曲性和抗氧化性的提升;复合膜还原后会提升导电性，但同时透光率降低了。 为了进一步提升复合膜的综合性能，引入导电聚合物PEDOT∶PSS来填补银纳米线网络中的空隙。将购置的PEDOT∶PSS稀释成一系列浓度梯度，探究其与银纳米线以及石墨烯的最佳复合质量分数。在Ag/PEDOT、GO/Ag/PEDOT和rGO/Ag/PEDOT三种复合膜中，最低方阻值时对应的PEDOT∶PSS质量分数都为0.30wt％，该PEDOT∶PSS旋涂量时与银纳米线和石墨烯的复合性能最好。最终FOM最高的复合膜为GO/Ag/PEDOT-0.30膜，为140.6。引入了PEDOT∶PSS使得复合膜的耐弯曲性和抗氧化性都得到了提升。