调控纳米晶材料微观组织可改善其性能,因而备受关注。在扩散时间尺度和原子空间尺度上,晶体相场模型(Phase-field Crystal,PFC)可实时描述晶体缺陷结构形成、演化及晶界迁移运动等,从而模拟预测晶体材料界面复杂微结构动力学过程。本文运用单模晶体相场模型,研究了二维三角相晶体晶界结构、晶界迁移、位错反应和体系自由能变化等规律。研究小角倾斜晶界发现,体系最后凝固部位形成一系列刃型位错构成晶界结构。刃型位错类型共6种,夹角为60°时可形成位错对,上晶界由n1n2型和n2n3型位错对构成,下晶界由n4n5型和n5n6型位错对构成,晶界对称性与位错对的类型无关。研究温度对小角对称倾斜晶界运动影响规律发现,在弛豫阶段降低温度,体系自由能下降速率增大,晶体快速达到稳定状态。在外加应力作用下,温度越低,体系形成单晶结构所需时间越长。不同温度下体系自由能曲线变化趋势大致相同,降低温度时自由能曲线出现多段上升与下降,且晶界位错反应趋向逐对抵消。对于不同取向角下的小角非对称倾斜晶界,增大取向角时,晶界中n1n2型和n4n5型位错对更易出现。外应力下取向角增大使得位错对发生分解增多,且均为n1n2型和n4n5型位错对发生分解,进一步观察到增大取向角使得晶界湮没形成单晶时间延长。不同取向角下,观察到体系自由能曲线可分为四个阶段:S1阶段,体系能量积累,位错对攀移;S2阶段,位错对滑移和进行分解反应,体系能量降低;S3阶段,位错对反应抵消且数量减少直至形成单晶体系;S4阶段,单晶体系能量稳定增长。本文对小角晶界湮没过程进行详细研究,分析温度与取向角对体系形成单晶过程影响,为结构功能材料设计途径提供合理参考。