薄膜光探测器由于具有高的响应度、快的响应速率广泛应用于通信、军事、火灾报警、航空航天等领域中,并且随着近年来可穿戴设备、可折叠、可弯曲设备的发展,人们不仅需要努力提高光探测器的响应度、响应速率、探测率等性能,而且需要寻求新的材料来适应穿戴设备、可折叠、可弯曲设备等更高的要求。针对这些问题,本文开展了两个方向的研究。(1)通过CVD法生长出14英寸大的石墨烯,采用一种不去除PMMA的无缝转移方法成功地将生长好的石墨烯转至PMMA/AB胶/PET基底上。石墨烯不仅完整性比较好,而且测得面电阻分布在200-500Ωsq-1,最低只有219Ωsq-1;光透过率为96.5%。将转移得到的大面积石墨烯与条带ZnSe结合构筑的光探测器阵列,不仅具有较高的光电流,较大的响应度,较高的探测率和较短的响应时间,而且集成的条带ZnSe/石墨烯/PMMA/AB胶/PET柔性的光探测器阵列可以作为高均匀性的高性能图像传感器。然而,器件在弯曲3次过程中,光电流急剧下降,弯曲3次之后,光电流减小比较缓慢,达到稳定状态,说明该器件性能的机械持久性不够好,这有待我们进一步的改善。(2)在ZnSe薄膜和Ni箔之间通过固相反应的方式在Ni箔上界面限制外延生长非层状结构的NiSe薄膜。经研究发现NiSe薄膜生长的机制是Ni与Zn的互扩散形成NiSe薄膜,NiSe薄膜的晶粒尺寸达微米级。NiSe薄膜通过图形化生长构造出的NiSe薄膜光探测器,不仅满足了光探测器在传感和图像系统中的集成,而且以生长的高质量的NiSe薄膜构造的光探测器具有150 A/W的响应度,远远高于直接沉积得到的纳米颗粒NiSe薄膜构造的光探测器的响应度,响应度提高了4个数量级。