氧化锌是一种宽禁带直接带隙氧化物半导体材料，具有优异的光电、光催化等性能，但其仅对紫外光区域有吸收。硫化镉对可见光有优良的吸收性能，硫化镉纳米粒子可能适于敏化氧化锌，拓展其对光的吸收范围。本文通过电沉积的方法在ITO导电玻璃上制备了竖直生长的六棱柱阵列、中空的管状阵列、竖直生长的片层和纳米颗粒的氧化锌。其中竖直生长的六棱柱阵列结构的氧化锌显示出沿(002)晶面的择优取向和对可见光良好的透过性。对于氧化锌的六棱柱阵列结构，可以通过调节试验参数实现对氧化锌六棱柱尺寸及分布的可控制备。在制备好的氧化锌纳米阵列上，采用连续离子层吸附的方法沉积硫化镉量子点。通过调节循环次数，控制硫化镉量子点在氧化锌表面包覆情况。对硫化镉包覆最佳的氧化锌做光电性能测试，得到了9.83mA/cm~2的光电流密度，是无硫化镉包覆的氧化锌的光电流密度的80倍；做光催化降解罗丹明B的测试，比无硫化镉包覆的氧化锌的降解速率提高了50%左右。