该文介绍了扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)以及它们附带的X射线能量分散谱仪(EDS)的基本原理.介绍了SEM与TEM的集成电路样品的制备方法并比较了制样过程对分析结果的影响.将IC器件的制造工艺与电子显微分析技术相结合,对器件剖面的电镜照片作出了较好的阐述.使用SEM观察分析芯片制造工艺和结构模块分布,定性地分析了IC器件芯片各典型结构的有关形貌特征,有效地检验了芯片表面的各种微细加工图形和线条情况;使用TEM定量地测量了各层结构的工艺参数,观察了栅氧化层的高分辨电子显微镜;使用电镜附件EDS谱仪对各层材料进行化学组分分析.详细讨论了在IC器件的电子显微分析中,SEM与TEM不同的精度比较、产生的原因以及各自的适用范围,指出了两者有机结合可以得到比较全面的精确的分析结果.为了确定TEM放大倍率与实际数据的误差,对实验室所用的电子透射显微镜PHILIPS CM200-PEG进行了放大倍率的标定,其实测值与仪器放大倍率标称值及仪器的标尺示值比较,误差全部小于7％.