在新兴的非易失性存储器中,阻变存储器（RRAM）具有可扩展性强、运行速度快、与COMS兼容以及能耗更低的特点,这些优点使RRAM有着广阔的应用前景。然而尽管RRAM在单一元器件级别表现出优异的性能,但是二维阻变存储器（2D-RRAM）的存储密度较低,为进一步提高存储密度,RRAM必须采用三维集成结构,由此三维阻变存储器（3D-RRAM）应运而生。但是有关3D-RRAM的现有研究,更多的是针对不同材料体系（电极层以及阻变层）的性能参数进行研究,而对于3D-RRAM制作工艺的研究仍然较少。本文针对3D-RRAM的结构特点,提出了一种新的加工工艺方法,具体研究内容如下:（1）提出一种制备3D-RRAM中平面电极与绝缘层复合多层堆叠结构的工艺方法。首先利用旋涂PMMA溶液制备缓冲层,分析了PMMA溶液浓度及匀胶转速等关键实验参数对PMMA缓冲层形貌的影响。随后溅射金属作为平面电极,研究了金属材料与PMMA的线性热膨胀系数差异对金属薄膜的成膜质量的影响;最后,进行了旋涂PMMA溶液制备有机聚合物绝缘层的工艺研究,得到3D-RRAM平面电极与绝缘层的复合多层堆叠结构。（2）针对所制备的3D-RRAM金属平面电极与有机聚合物绝缘层的复合多层堆叠结构,本文将热压印工艺应用到3D-RRAM的盲孔结构制备中。首先对压印模板进行防粘连处理,测试了防粘连涂层的有效性;分析研究了压印压力及压印时间等关键工艺参数对3D-RRAM盲孔结构成形质量的影响,通过对压印压力和压印时间的优化,制备了高保真度的3D-RRAM盲孔结构。（3）针对3D-RRAM具有多层平面电极的结构特点,本论文提出一种电场辅助盲孔填充的工艺,通过电场辅助诱导溶液对盲孔进行填充。首先利用COMSOL软件对电场作用下的的3D-RRAM盲孔结构进行仿真分析,探究了3D-RRAM盲孔结构中的电场强度变化规律,研究了3D-RRAM结构中电极间距、圆孔直径、孔间距等因素对盲孔中电场强度的影响,最后利用实验验证了电场辅助盲孔填充工艺能有效促进溶液对盲孔的填充。