本文采用浸泡修饰法,分别以3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)和3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷(GPTMS)为主要原料,制备了表面带有活性基团氨基和环氧基的基因芯片。研究了制备过程中不同修饰试剂下不同工艺条件和工艺参数的变化对修饰后芯片表面性能的影响。获得了如下结论：(1)用APTMS作修饰试剂,采用浸泡法,经羟基化、酸处理和修饰浸泡三步,制备了表面氨基修饰的基因芯片。通过实验优化,最佳修饰条件为：羟基化时间为2h；酸处理时间为3h；浸泡液中APTES浓度为0.6mol·L-1,浸泡时间为1d,温度为50℃。由XPS检测结果可知,APTES通过浸泡修饰能与基片表面反应,使基片表面含有氨基。由点样和杂交结果可知,修饰后基片能与探针高效结合。(2)用GPTMS作修饰试剂,采用浸泡法制备了低基片噪声、高信号强度和高信噪比的表面环氧基修饰的基因芯片。通过不同工艺条件修饰的基片点样实验测试后,得到了最佳修饰条件为：GPTMS浓度为0.6mol·L-1,醋酸浓度为0.18mol·L-1,浸泡时间为：24h,后处理温度为：100℃,后处理时间为：20min。由XPS检测可知,基片表面经GPTMS修饰带有活性环氧基团；由修饰后基片透过率可知,噪声和信号检测结果可信。