我们正经历着一场全新的技术革命,这场技术革命的推动力正是半导体产业的不断发展,而推动半导体发展的又是其设计及制造工艺的不断创新。目前国际上的半导体制造工艺已经进入了纳米时代,世界级的制造大厂已经进入32nm工艺大生产阶段,并正朝着更小的工艺线宽前进；我国大批量生产的工艺线,八寸线主要还是0.13微米工艺,十二寸线则进入了65nm工艺。随着生产工艺线的持续使用和设备的不断老化,出现了很多新的问题。本文就八寸生产线0.13微米工艺侧墙蚀刻出现的问题,分三个部分展开研究。对0.13微米工艺侧墙蚀刻工艺及其设备的研究：论文对0.13微米工艺做了分析,并对侧墙蚀刻工艺的原理及具体的蚀刻方法做了详细的研究,尤其是对侧墙的结构和氮化硅及二氧化硅的蚀刻进行了深入的研究。论文还对侧墙蚀刻的Super E设备的结构及各部件的特性做了详细的分析。对侧墙蚀刻中出现的对良率影响非常大的缺陷问题进行了研究,并最终找出了问题的真正原因。论文先是从蚀刻设备的角度尝试寻找解决问题的办法,包括常用的部件及真空系统等,但效果并不明显。又采用了正交实验的方法,按蚀刻步骤逐步分析工艺参数中影响缺陷的因素。最终发现是因为真空系统的老化和蚀刻工艺的不完善才导致了缺陷。对侧墙蚀刻后残余二氧化硅厚度控制的研究。残余二氧化硅是指侧墙蚀刻后衬底上剩余的二氧化硅。因为它既能反应侧墙蚀刻的效果又可作为后继离子注入的阻挡层,所以对其厚度的控制就非常关键。论文通过正交实验首先找到了影响残余二氧化硅厚度的工艺参数,即氧气流量,但在调整后发现WAT电性变化。随即又研究了吸附电压、温度、磁场等因素对残余二氧化硅厚度的影响,发现温度越高残余二氧化硅越厚,但器件其他性能不受影响。因此论文最终确定以温度作为调整侧墙残余二氧化硅厚度的工艺参数。通过系统研究,侧墙的蚀刻缺陷得到了合理解释和解决,残余二氧化硅的厚度也得到了更好的控制。本论文对实际生产中因设备不断老化出现问题后的改善有一定的借鉴作用。