随着 IGBT、IGCT等新型电力半导体器件的应用日益广泛,与之反并联的快速软恢复二极管(Fast and soft recovery diode,简称FSRD)也成为研究的重点。为了提高电力电子系统的可靠性及使用寿命,对FSRD的性能要求也越来越高。因此,研究高压快速软恢复二极管对有重要意义。　　本文以3.3kV快速软恢复二极管为例,利用ISE-TCAD模拟软件研究了FSRD新结构的反向恢复工作机理,分析了关键结构参数对各项特性的影响,并提取了最优化结构参数。主要研究内容如下:　　第一,简要介绍了快速软恢复二极管(FSRD)的结构特点、工作机理及特性。基于p+pn-nn+结构,简述了FSRD的阻断、导通及正向恢复和反向恢复过程。　　第二,研究了具有隐埋p+区的FSRD新结构的反向恢复机理,分析了反向恢复过程中器件内部少数载流子浓度分布及电场强度分布随时间的变化,讨论了隐埋 p+区对反向恢复特性的影响。　　第三,研究了不同结构参数对FSRD新结构各项特性的影响,并提取了3.3kV FSRD新结构最优化的结构参数;并对具有不同阴极结构,即无隐埋 p+区、普通阴极 p+区和有隐埋p+区的FSRD各项特性进行了对比分析。　　本文的研究结果可以为高压FSRD的设计与研发提供一定的参考。