随着环境保护越来越受到世界各国的重视，无铅压电陶瓷作为一种环境友好型材料，其研究已成为目前材料领域的热点之一。然而，通过掺杂改性方法对无铅压电陶瓷材料性能的提高有限，陶瓷的织构化控制是提高无铅压电陶瓷性能的有效的方法。很多实验证明，在某一极化方向拥有高度晶粒取向（高织构度）的压电陶瓷将表现出大幅优于非织构化陶瓷的电性能。本论文主要采用丝网印刷反应模板晶粒生长（screen-printing reactive templatedgrain growth，缩写为Sp-RTGG）技术，制备了具备<001>择优取向生长的钙钛矿结构铌酸钾钠（K,Na）NbO₃（KNN）和钨青铜结构铌酸铋钾K₂BiNb₅O₁₅（KBIN）织构化陶瓷。论文主要研究了丝网印刷反应模板晶粒生长技术的工艺过程和原理、模板晶粒的合成、影响陶瓷织构度的因素、织构化陶瓷的显微结构和电性能。论文中主要研究内容如下：（1）总结出一条有效的丝网印刷反应模板晶粒生长技术工艺流程，包括：丝网印刷网眼参数的选择，印刷浆料的配置，基体粉末的制备，模板晶粒的分散，切片和叠层，排胶工艺，以及陶瓷坯体的致密化方式等。提出了丝网印刷反应模板晶粒生长法制备织构化陶瓷的反应机理，其中印刷界面的存在不仅保证了模板晶粒的有效定向，更对其取向生长起着重要作用。（2）以铋层状结构Bi2.5Na3.5Nb5O18为前驱体，采用拓扑微晶置换法合成片状的钙钛矿结构NaNbO₃模板晶粒；采用熔盐法合成出片状的K₄Nb₆O₁₇晶粒，研究了其吸水特性；以K₄Nb₆O₁₇为前驱体通过拓扑微晶置换反应法合成钙钛矿结构片状的KNN晶粒，并研究了层状结构的K₄Nb₆O₁₇通过拓扑微晶置换反应生成KNN晶粒的反应机理；通过熔盐法制备了柱状的KBIN晶粒，研究了其中料/盐比和合成温度对晶粒尺寸的影响，给出了KBIN晶粒在熔盐中的生长机理。（3）以10mol%片状NaNbO₃为模板晶粒，0.5mol%K₄CuNb₈O₂₃为烧结助剂，采用丝网印刷反应模板晶粒生长技术成功地制备了<001>方向晶粒取向度为95%的织构化(K_0.45Na_0.55)NbO3陶瓷，研究了烧结温度和升温速率对陶瓷织构度的影响；SEM分析结果表明，织构化(K_0.45Na_0.55)NbO3陶瓷晶粒呈规则的砖块状，并沿着丝网印刷方向定向排列；相比于传统的固相反应法制备的非取向陶瓷，丝网印刷技术制备的(K_0.45Na_0.55)NbO3织构化陶瓷的压电性能取得明显提高：在sp（//）面上，介电常数εr，压电系数d33，机电耦合系数kp分别提高了75%，44%，42%，在sp（）面上，它们的提高幅度相对较小，分别为35%，30%，35%，在sp（//）面上的电性质明显优于sp（）面。（4）以10mol%片状NaNbO₃为反应模板晶粒，0.5mol%CuO为烧结助剂，采用丝网印刷反应模板晶粒生长技术制备了织构度为93%，d33和kp分别高达138pC/N和0.54的(K_0.5Na_0.5)NbO3陶瓷。研究了模板晶粒随烧结温度升高的生长过程，以及Ta原子的引入对陶瓷织构度的影响，发现Ta原子的引入对(K_0.5Na_0.5)NbO₃陶瓷的织构产生负面影响。（5）采用棒状模板通过丝网印刷反应模板晶粒生长技术制备出各向异性的织构化陶瓷。采用15mol%棒状KBIN为模板晶粒，通过丝网印刷反应模板晶粒生长技术首次制备出沿<001>方向织构度为45%的KBIN陶瓷，介电性能分析结果显示其具备明显各向异性。