【摘 要】
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碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度大等优越特性,使其在蓝绿色发光二极管、紫外光电探测器、大功率和高温电子器件等方面倍受青睐。SiC是间接带隙半导体,提高SiC的发光效率和探讨它的发光机理是目前人们正在极力解决的问题。就以上两个问题,本工作分别制备了SiC颗粒膜和埋入SiO_2的SiC纳米颗粒复合薄膜。1.利用射频溅射在多孔玻璃衬底上沉积了SiC颗粒膜。分析测试结
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碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度大等优越特性,使其在蓝绿色发光二极管、紫外光电探测器、大功率和高温电子器件等方面倍受青睐。SiC是间接带隙半导体,提高SiC的发光效率和探讨它的发光机理是目前人们正在极力解决的问题。就以上两个问题,本工作分别制备了SiC颗粒膜和埋入SiO_2的SiC纳米颗粒复合薄膜。1.利用射频溅射在多孔玻璃衬底上沉积了SiC颗粒膜。分析测试结果表明:玻璃衬底腐蚀时间为20 min,SiC沉积时间为1 h时样品表现出了比较好的
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