拓扑绝缘体是最近几年发现的一种新颖的物质形态，并且引起了众多科研人员的研究热情。拓扑绝缘体的表面为可导电的金属态，而内部为不导电的绝缘态。在拓扑绝缘体中可观测到量子霍尔效应、量子自旋霍尔效应和反常量子霍尔效应等奇特的物理现象。目前为止，研究人员对拓扑绝缘体的研究主要集中在第三代拓扑绝缘体 Bi2Se3上，因为这种材料具有整数化学计量比，易于制备。拓扑绝缘体的出现对于自旋电子学、量子计算和物理基础理论等都将产生极为重要的作用。　　本论文的主要研究内容如下：　　1.对拓扑绝缘体，特别是 Bi2Se3的物理性质、晶体结构、制备方法及应用领域等作简单介绍。　　2.采用溶液生长法，分别在水相和有机相中生长 Bi2Se3纳米材料，利用XRD、XPS和SEM进行了表征。在水相中，使用巯基乙酸作为表面活性剂，通过改变加入顺序，可得到纳米杆和纳米片等不同形貌的纳米材料。在有机相中进行生长时，改变反应条件可得到不同形貌的产物。　　3.采用微波振荡辅助合成，在有机相中进行制备，并利用XRD和SEM进行了表征。运用微波制备的方法可以在短时间内制备出 Bi2Se3纳米材料，与溶液生长法相比，反应时间短，反应过程均匀，材料形貌有所变化。　　4.在水溶液中分别制备出水溶性的CdSe和ZnSe量子点，通过阳离子交换的方法得到高分散性性的Bi2Se3量子点，利用XRD、TEM、UV-Vis、IR和荧光分光光度计进行了表征，同时对其光热转换性质进行了较为深入的研究。通过研究可发现制备得到的 Bi2Se3具有良好的光热转换性能，并且可以较好地分散在水中，因而可以用于癌症的光热治疗。同时制备了 NiS纳米材料，与 Bi2Se3纳米材料的光热转换性质进行了比较。