本文开展SiC MOSFET器件对并网逆变器的EMC和转换效率影响的研究。在第一章中,介绍了 SiC器件引入并网逆变器后对于EMI噪声水平的影响,回顾已有的EMI噪声源、噪声传导路径的建模方法,以及逆变器EMC模型。此外还综述了采用SiC器件改善并网逆变器效率和功率密度的相关研究工作。第二章重点讨论SiC逆变器EMC模型。通过分析SiC MOSFET的噪声特性,引入了SiC MOSFET开关的噪声源模型。用噪声传导路径的阻尼来表征逆变器损耗的作用,最后得到SiC逆变器的EMC仿真模型和解析模型。然后,将逆变器平台的实验结果与仿真模型和理论模型进行对比。此外,还比较了沟槽栅SiC MOSFET、平面栅SiC MOSFET和Si IGBT对并网逆变器的传导干扰影响。在第三章中,基于逆变器的损耗模型,比较了沟道栅SiC器件、平面栅SiC器件和Si IGBT器件并网逆变器的效率。然后在搭建的三种实验模型上进行了实验验证。