用物理气相输运(Physics Vapor Transport)法生长的SiC单晶常常出现同质异晶型(polytypes)夹杂。由于异晶型间电学特性差异较大，使得SiC的应用受到限制。为此，研究SiC晶体生长过程中的晶型控制十分重要。　　本文在探索SiC单晶生长工艺的基础上，分析了异晶型产生的原因，讨论了SiC异晶型的鉴别方法，并使用拉曼光谱(Raman Spectrum)以及电子衍射(Electron Diffraction)技术对实验晶片进行了晶型鉴别，提出了有效的晶型控制工艺。　　论文获得了以下主要结论:　　1.选择无同质异晶夹杂的晶片做籽晶;　　2.选择合适的原料和工艺条件以保持生长过程中恰当的Si/C比例;　　3.为了保持生长面温度恒定，需要实时调整测温点的控制温度;　　4.为了保证生长面周向温度均匀性，需要实时调整石英管局部区域的散热;　　5.为了保持生长腔内的温度梯度恒定，需要实时调节坩埚与线圈的相对位置;　　6.需要控制生长开始前的降压速率，使压力近平衡态变化，避免因压力剧变而引起的晶型变化;　　论文分析了晶体生长过程中对晶型稳定性影响较大的因素，认为对生长面温度的控制以及气氛中Si/C比例的控制是实现晶型有效控制的关键。