【摘 要】
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随着移动通讯,卫星通信,无线局域网以及高速计算机的广泛应用,超高速数字集成电路和微波集成电路越来越成为人们研究和开发的重点.该文介绍的研究工作是围绕如何提高硅双极器
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随着移动通讯,卫星通信,无线局域网以及高速计算机的广泛应用,超高速数字集成电路和微波集成电路越来越成为人们研究和开发的重点.该文介绍的研究工作是围绕如何提高硅双极器件和电路的工作速度这一中心内容而展开,包括结构上的改进——双层多晶硅结构双极晶体管的研究工作,和材料上的更新——尝试制作用锗硅外延基区代替掺B基区的多晶硅发射极锗硅HBT.在结构更新方面,采用双层多晶硅结构来减少寄生电容,制备了双层多晶硅发射极晶体管.在材料的更新方面,用原位掺B锗硅基区替代掺硼基区的多晶硅发射极晶体管以降低基区渡越时间.为了考察制备的锗硅异质结晶体管质量,发展了一种新的测量禁带变窄量的方法.我们成功地开发了平面型锗硅外延基区多晶硅发射极晶体管的成套工艺.
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