本研究包括两个内容：辐射损伤信号在拟南芥中的长程转导机理和低能重离子注入的诱变机理。　　 为探讨辐射损伤信号在拟南芥中的长程转导机理，我们以微束定点辐照拟南芥种胚SAM，检测远端未受照射RAM的发育变化。结果显示，SAM受到辐照损伤后，远端未受照射RAM的分化发育受到显著抑制，表明在拟南芥中存在辐射损伤的长程转导。进一步结果显示，DR5-GUS中报告基因的表达模式和表达水平均有显著变化，表明这种转导涉及生长素依赖的基因表达。外施生长素2，4-D或自由基清除剂DMSO处理后，发育和相应报告基因的表达都能显著回复。表明自由基和生长素与拟南芥中辐射损伤的长程转导相关。　　 低能重离子注入的是生物学诱变机理一直不清楚。通过对拟南芥种子SAM和RAM的遮挡辐照，我们发现未受直接照射的SAM和RAM在发育中产生了显著的变化。表明辐射在拟南芥种子浅层造成的损伤能够转导到SAM和RAM导致相应的发育变化。证明辐射损伤的长程转导可能是低能重离子辐照诱变效应的主要机理之一。进一步研究显示这种长程转导伴随着自由基的显著增加和生长素依赖性基因表达的显著下调。外施DMSO或2，4-D处理不仅能显著回复发育变化，而且也能显著回复报告基因的表达，表明自由基、生长素途径及其相互作用在辐射诱导拟南芥的长程转导中起到了关键的作用。