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近年来,钙钛矿结构的铁电薄膜由于具有介电非线性和低介电损耗等特性而得到广泛研究。其中,(BaxSr1-x)TiO3(BST)和(PbxSr1-x)TiO3(PST)在可调器件的应用方面被认为是最有前途的电介质材料。然而,由于BST薄膜存在相对较高的热处理温度和介电损耗大等问题,与之相比,PST薄膜则表现出较小的晶粒尺寸效应、较低的晶化温度、较高的相对介电常数和较低的介电损耗等优点,这使得后者能更好的与微电子工艺相兼容,从而推动现代器件的小型化和集成化发展。本文分别选取Pb0.9Sr0.1Ti