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白光LED由于具有效率高、寿命长、响应快、安全、环保等优点，被誉为继白炽灯、荧光灯和高强度气体放电灯后的“第四代照明光源”。目前，实现白光LED的主要方法是荧光转换法，即在单个LED芯片上涂敷相应组分的荧光材料来实现白光。白光LED用荧光材料的制备及其发光性能的研究已成为半导体照明领域的一个热点。本文以适合于近紫外InGaN基荧光转换型LED用的荧光材料为研究对象，采用传统的高温固相法合成了一系列白光LED用荧光粉。首先以钼酸盐为基质材料，制备了Eu3+掺杂的Nao.5Gdo.5Mo04:Eu3+、LiGd(Mo04)2：Eu3+和KGd(Mo04)2:Eu3+红色荧光粉。研究了不同烧结温度对荧光粉粒径的影响，探讨了激活剂Eu3+的不同掺杂浓度对荧光粉发光性能的影响。研究结果表明：Eu3+的掺入，不影响样品晶体结构的形成。随着烧结温度的升高，样品粒径增大。以393nm近紫外光激发样品，荧光粉在616mm处有强的红光发射，对应于Eu3+5Do—7F2跃迁。随着Eu3+浓度的增加，样品在616nm处的发光强度逐渐增强，当发光强度达到最大值后，Eu3+浓度继续增加，样品发光强度反而下降，出现浓度猝灭现象。Eu3+在Nao.5Gdo.5-xMo04:Eu3+、LiGdl-x(Mo04)2：Eu3+x和KGd1-x(Mo04）2:Eu3+x体系中的最佳掺杂浓度分别为25mol％、30 mol％和25 mol％。其次，本文利用高温固相法在还原性气氛中合成了Eu2+，Mn2+共掺杂的SrZn2(P04)2、SrAI2B207和SrBP05单一基质白光荧光粉。分别研究了稀土离子Eu2+,Mn2+的掺杂浓度对SrZn2(P04)2、SrA12B207和SrBP05发光性能的影响。通过对样品荧光光谱和色坐标(CIE)的分析，确定Eu2+，Mn2+共掺的最佳配比。从而在Eu2+，Mn2+共掺配比下，继而分别进行掺Ba2+与掺Ca2+的研究。研究结果表明：所合成的SrZn2(P04)2:Eu2+，Mn2+、SrA12B207:Eu2+，Mn2+和SrBPO5:Eu2+，Mn2+荧光粉在250-380 nm的区域都有较强的激发光谱，可以被紫外光有效激发。在SrZn2(PO4)2、SrAI2B207和SrBPO5体系中，Eu2+，Mn2+共掺的最佳配比分别为0.03:0.01，0.06:0.02和0.04:0.01。最后，本文研究了所制备的荧光粉在近紫外InGaN基白光LED中的应用。将制备的性能较好的红、白色荧光粉分别与-395 nm和～370 nm芯片结合，制成了红光LED和白光LED。