BaSnO3基钙钛矿透明导电薄膜的制备和电学性能研究

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【摘要】

：

透明导电氧化物(TCO)薄膜所表现出的禁带宽、导电性好、可见光区透过率高等特点,使其在平板显示、薄膜太阳能电池等领域展现出极大的应用价值。目前In_2O_3:Sn(ITO)和SnO_2:F(FTO)已实现大规模商品化,然而稀有元素In的缺乏导致ITO成本较高限制了其使用;FTO因F-的掺杂具有腐蚀性,且难以进行刻蚀和二次加工,发展也受到了限制。另外,常用TCO薄膜无法满足全钙钛矿铁电存储器、全钙钛

【作者】

：

范方元

【机构】

：

上海师范大学

【发表日期】

：

2019年08期

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透明导电氧化物(TCO)薄膜所表现出的禁带宽、导电性好、可见光区透过率高等特点,使其在平板显示、薄膜太阳能电池等领域展现出极大的应用价值。目前In_2O_3:Sn(ITO)和SnO_2:F(FTO)已实现大规模商品化,然而稀有元素In的缺乏导致ITO成本较高限制了其使用;FTO因F~-的掺杂具有腐蚀性,且难以进行刻蚀和二次加工,发展也受到了限制。另外,常用TCO薄膜无法满足全钙钛矿铁电存储器、全钙钛矿铁电场效应管等光电子器件的发展,需要新型TCO薄膜的问世,所以开发出性能高且成本低的新型透明导电材料

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