Ti₃SiC₂兼有金属和陶瓷材料的优良性能，但高于1100℃易产生氧化，为提高其抗氧化性能，本文以Ti粉、SiC粉、石墨和TaC粉为原料，采用反应热压烧结法制备TaC/Ti₃SiC₂复合材料。通过X射线衍射仪、能谱仪、扫描电子显微镜、热重分析仪、导电仪等测试手段对TaC/Ti₃SiC₂复合材料的结构和性能进行了研究，得到以下结论：（1）采用热压烧结法制备出了高致密度的TaC/Ti₃SiC₂复合材料，通过X射线衍射分析得知：①该复合材料的主晶相为Ti₃SiC₂和TaTiC2，另外含有少量TiC；②提高热压温度有利于Ti₃SiC₂的生成。（2）结合XRD结果，通过扫描电镜观察得知：①Ti₃SiC₂晶粒为层状结构和颗粒状两种结构，TaTiC2固溶体为颗粒状物质，TiC晶粒分布于Ti₃SiC₂中；②TaC加入量过多后，不利于层状Ti₃SiC₂晶粒的生成。（3）①提高热压温度，有利于提高弯曲强度和断裂韧性；②材料断裂过程中由于穿晶断裂、内部层裂、裂纹偏转以及颗粒的拔出等能量吸收机制，有利于材料的弯曲强度和断裂韧性的提高；③当TaC含量逐渐增加时，弯曲强度和断裂韧性有所提高，但TaC含量过高，会使材料的力学性能下降。（4）TaC/Ti₃SiC₂复合材料在1100～1500℃下进行了氧化实验。结果显示：①TaC/Ti₃SiC₂复合材料在1100～1500℃的氧化过程遵循抛物线规律；②TaC/Ti₃SiC₂材料的抗氧化性能优于单相Ti₃SiC₂材料和Ti₃SiC₂/SiC材料的抗氧化性能，其氧化层分为两层，外层主要为TiO2，内层为TiO2、SiO2及TiO2与Ta2O5的共熔物层。（5）通过对TaC/Ti₃SiC₂复合材料的电导率进行测试表明随着TaC含量的增加，TaC/Ti3SiC2复合材料的电导率降低。