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光滑连续谱X光源可应用于高密度等离子体的点投影射线照相和吸收谱诊断,但是通常激光辐照固体平面靶的产生方法,光子能量往高能方向只能推进到3.5keV左右,仅能满足原子序数Z<18的中低Z物质的诊断需求。因此需要高于3.5keV的光谱平滑的X光源来研究较高Z的材料的物态性质。激光驱动的内爆靶通过轫致辐射过程可以产生覆盖1-1OOkeV能区的小尺寸、短脉冲和高亮度的光滑连续谱X光源。尽管目前内爆光源已经成功应用于3-7 keV光子能量范围内的中Z材料的研究,但对内爆靶产生的X光源的专门研究还非常稀少,其中的物理机制和物理规律还不清楚,因此需要研究内爆X光源的特征,并以此为基础来优化内爆光源。本文首先对30-180kJ输出能量的神光Ⅲ激光装置直接驱动氘氚冷冻靶产生的连续谱X光源辐射特性进行了模拟研究。采用美国OMEGA激光装置和NIF激光装置使用的定标率来给出不同驱动能量时的靶参数和激光脉冲参数。利用Multi-1D(一维辐射流体程序)计算内爆靶的时空演化。根据Multi-1D程序输出的等离子体温度和密度分布分布来计算辐射光谱。我们调节了激光吸收率以及靶丸结构以确保中子产额与OMEGA的一维模拟结果一致。研究发现,内爆靶丸在停滞阶段瞬时的密度和温度剧增可以产生尺寸约100μm、发光时间约150ps的X光脉冲;X光辐射主要产生于被压缩的氘氚冰壳层内侧、而不是中心的高温气体热斑区;等离子体的自吸收可以显著降低1-3keV的较低能区的X光发射,但对更高能区没有影响;X光辐射主要集中在<30keV的较低能区,DT聚变反应可以增强>30keV的硬X光辐射、但对<30keV的较软的X光辐射没有明显贡献,因此聚变反应对内爆X射线源的亮度影响可以忽略不计,可以尝试采用较高Z塑料靶来优化内爆光源。另外,本文利用CH替换冷冻DT靶的DT冰内层,对内爆光源进行了优化,结果表明CH等离子体更高的原子序数可以提高轫致辐射的发射率,并且存在最优的CH厚度,使主要的X光来源于CH层,且X光穿过外层等离子体时被吸收的份额最少,从而X光源的总辐射能最高。