【摘 要】
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该工作在总结以往关于MnBi和MnBiAl磁光存储薄膜研究的基础上,使用真空电子枪蒸发设备制备了MnBi和MnBiAl (x=0.9,0.83,0.75,0.6,0.55,0.47,0.42,¨¨)两个系列的薄膜,以2nm
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该工作在总结以往关于MnBi和MnBiAl磁光存储薄膜研究的基础上,使用真空电子枪蒸发设备制备了Mn<,1.0>Bi<,x>和Mn<,1.0>Bi<,x>Al<,0.15> (x=0.9,0.83,0.75,0.6,0.55,0.47,0.42,¨¨)两个系列的薄膜,以2nm厚的Al膜替代SiO<,x>作为保护层,排除了Si元素在退火时掺入对性能的影响,然后用X射线衍射、磁光测量、磁转矩、超导量子磁强计(SQUID)和交变梯度磁强计(AGM)等方法,对MnBi和MnBiAl薄膜的结构和性能进行了系统的对比和研究.
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