【摘 要】
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该论文研究了隧穿电子对薄膜负阻的产生的影响.负阻现象最早出现在P-N结的隧道二极管中,后来Hickmott发现了MIM结的负阻现象,因为MIM结构使电子器件中党见的结构,因此研究它
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该论文研究了隧穿电子对薄膜负阻的产生的影响.负阻现象最早出现在P-N结的隧道二极管中,后来Hickmott发现了MIM结的负阻现象,因为MIM结构使电子器件中党见的结构,因此研究它的负阻现象有普遍的意义.研究人员制备了三种隧道结,并对其I-V特性进行了测试,都发现了负阻现象,对负阻现象从能量的角度和微观机制上都作了合理的解释,总的来负阻的产生都是与隧穿电子的能量减小,激发了无激发有关.对于MIM隧道结,负阻现象的产生是因为隧穿电子激发了顶电极和介质界面的SPP波,随着电压的增加,SPP波加剧,在基底附加的粗糙度菜射下,得到动量补偿,耦合成可见光子,对于FM/I/FM结构的隧道结,研究人员也发现了负阻现象,和M/FM/M结构一样,隧穿电子激发了界面的SPP,但是没有发射可见光,隧穿电子的能量直接或间接的激发了铁磁体的自旋波.研究人员认为隧穿结中的隧穿电子的能量激发了元激发,对隧穿电子起了阻挡作用,从而引起了负阻的产生,伴随元激发的产生,薄膜具有很多物理性质值得研究人员深入研究探讨.
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