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SrTiO<,3>系半导体瓷具有压敏电压低和电容量大的特性,是一种双功能新材料.该文研究了非气氛炉石墨还原气氛烧结SrTiO<,3>系双功能材料的组成和性能.采用A位、B位、AB位施主掺杂对SrTiO<,3>双功能材料进行取代.实验证明在只有还原气氛或只有施主掺杂的情况下,样品的电阻率达到10<6>∽10<9>Ω·m,不能很好的半导化.在石墨还原气氛下,A位(La<,2>O<,3>=0.3mol﹪,Sm<,2>O<,3>=1.0mol﹪,Y<,2>O<,3>=0.6mol﹪)、B位(Nb<,2>O<,5>=0.6mol﹪)施主掺杂样品的电阻率存在最小值,并对应着最大的介电系数.随着A位、B位施主掺杂量的增加或减少,电阻率曲线呈U变化;介电系数曲线呈倒U形变化.由A、B位掺杂的性能可以看出,A位(La<,2>O<,3>)掺杂材料样品的最低电阻率比B位(Nb<,2>O<,5>)掺杂样品的最低电阻率低,但是介电系数却比B位掺杂小.而AB位掺杂的样品的电阻率和介电系数介于A位和B位掺杂的样品之间.由试样的XRD计算晶格参数,可以知道施主掺杂在SrTiO<,3>中固溶量.用复阻抗测试仪来测量样品的复阻抗特性,计算样品的晶粒电阻和晶界电阻.实验数据表明,施主掺杂量的增加到一定程度后,晶粒电阻的变化微弱,晶界电阻变化幅度大.晶界电阻的增大是过量的施主掺杂物聚集在晶界上引起的.A位、B位、AB位施主掺杂实验试样的晶粒电阻最小值作比较得到:R<,Bg>>R<,ABg>>R<,Ag>.由氧化样品的复阻抗图看出,氧化处理不会影响晶粒的电阻值,只会使晶界电阻发生变化.优选SrTiO<,3>系半导体瓷实验配方,用非气氛炉石墨还原气氛烧结的环形消噪器件(ΦD=10.9mm,Φd=6.5mm)的性能为:V<,10mA>=5.6±0.28V,α=3.00,C=114±5.7nF,符合实际应用的参数.