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用透射电镜(TEM)观察了在三种衬底上沿c轴外延生长Bi3.15Nd0.85TiO12(BNdT)薄膜的显微结构,选区电子衍射(SAED)和高分辨像证实了薄膜的外延性。在SrRuO3/(001)SrTiO3上生长的BNdT薄膜中,观察到了两种衬度不同位于不同高度的失配位错网。暗场像观察表明,位错线沿<110>走向,柏格斯矢量沿[110]或[110]方向有分量,在[001]方向上可能没有分量。在SrTiO3上生长的BNdT薄膜分为上下两层,靠近衬底层结晶不够好,上层薄膜结晶较好。在其TEM平面样品中,只观察到了一种衬度的失配位错网,说明靠近衬底层释放了一部分应力。用暗场像在(001)LaAlO3上生长的BNdT外延薄膜中观察到了180°畴。
用透射电镜研究了Bi4Ti3O12单晶中的铁电畴结构。分别沿c轴和a/b轴观察到了90°畴。a-b面内的90°畴壁规则,与较大的铁弹畸变有关；在a-c面内90°畴壁不规则是氧空位和位错对畴壁钉扎所致。在a-c面内观察到的180°畴呈带状,畴壁规则,畴区内的位错线少,畴壁在位错线附近易畸变。180°畴易出现在位错线稀少的区域,在位错线密集的地方易出现90°畴。用汇聚束电子衍射(CBED)直接确定了各畴区的自发极化方向。