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本论文选用价格便宜且工业上应用广泛的金属铜作为基底电极材料,在研究制备L-半胱氨酸(L-Cys)自组装膜电极的基础上,首次利用电化学组装法将L-Cys组装到铜电极表面,制成L-Cys/Cu电化学组装膜电极,分别对两种组装膜电极的组装条件进行了探索,并分别将两种组装膜电极用于抗坏血酸(AA)的电催化,发现这两种组装膜电极都对AA有明显的电催化氧化作用,且L-Cys/Cu电化学组装膜电极比L-Cys/Cu自组装膜电极的热稳定性要好、检测线性范围要宽。全文共分为八章：第一章介绍了本论文所用到的试剂、溶液、电化学仪器和实验方法。第二章简要介绍了分子自组装膜成膜机理、结构和特点；简述了分子自组装膜的分类、影响因素和表征方法；综述了自组装分子膜的应用；最后提出了本课题的研究目的、意义以及创新点。第三章通过自组装方法将L-半胱氨酸组装到铜电极上,得到稳定的分子自组装膜,并分别用交流阻抗法、循环伏安法和差分脉冲伏安法对其进行电化学表征,探索了最佳自组装条件(组装时间、组装液浓度、温度、支持电解质的pH值),同时记录了不同扫速下L-半胱氨酸自组装到铜电极上的循环伏安图,结果表明L-半胱氨酸氧化峰电流与扫速平方根成正比。最后考察了L-半胱氨酸自组装膜电极的稳定性,发现此电极具有良好的稳定性。第四章通过电化学组装法将L-半胱氨酸组装到铜电极上,得到稳定的分子组装膜,并分别用交流阻抗法、循环伏安法和差分脉冲伏安法对其进行电化学表征。探索了最佳电化学组装条件(循环扫描周数、组装时间、组装液浓度、温度、支持电解质的pH值),同时研究了不同扫速下L-半胱氨酸电化学组装到铜电极上的循环伏安图,结果表明L-半胱氨酸氧化峰电流与扫速平方根也成正比。最后考察了L-半胱氨酸电化学组装膜电极的稳定性,发现此电极同样具有良好的稳定性。第五章利用交流阻抗(EIS)法研究了L-半胱氨酸在铜电极上自组装膜的覆盖度(θ)和电化学组装膜的覆盖度(θ)随时间的变化情况,并结合电容值和经验常数(n)讨论了不同时间组装膜的致密性和均匀程度,实验证明,综合考虑膜的覆盖度、膜的致密程度、膜的均匀程度,确定要想得到质量比较好的膜应适当延长膜的组装时间,L-Cys分子在金属铜表面上自组装成膜的最佳组装时间为24h左右,电化学组装最佳成膜时间为16000s左右。第六章利用L-Cys自组装膜修饰铜电极来对抗坏血酸(AA)进行电催化,并得出了电催化氧化的最佳pH值、静置时间、富集电位和富集时间,探讨了其可能的催化机理,测得氧化峰电流与AA的浓度在1.0×10-4～9.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,相关系数达到0.9961。最后考察了一些食品和药物中常见物质对AA电催化的影响,发现L-Cys/Cu自组装膜电极对AA的电催化具有较强的抗干扰能力。第七章利用L-Cys/Cu电化学组装膜电极对抗坏血酸进行电化学催化,得出了电催化氧化的最佳pH值、静置时间、富集电位和富集时间,探讨了其可能的催化机理,测得氧化峰电流与AA的浓度在2.0×10-5～2.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,相关系数达到0.9945。最后考察了一些食品和药物中常见物质对AA电催化的影响,发现L-Cys/Cu电化学组装膜电极对AA的电催化也具有较强的抗干扰能力。第八章为研究总结与展望。