多孔硅的研究主要集中在提高其光致发光强度和稳定性上,本论文通过电化学腐蚀制备多孔硅,研究了制备条件对多孔硅光致发光的影响,同时运用酸处理和阴极还原处理探讨了后处理对多孔硅稳定性的影响。实验表明,对于固定浓度的腐蚀液,在腐蚀时间相同的情况下,随着腐蚀电流密度的增大,多孔硅的光致发光强度先增加后衰减,说明制备多孔硅存在最佳腐蚀电流密度。当腐蚀溶液为V(HF):V(C2H5OH)=1:1,腐蚀时间为15min,比较理想的腐蚀电流密度是50mA/cm2。对于相同的腐蚀时间和腐蚀电流密度,随着腐蚀液浓度的增大,多孔硅的光致发光强度先增加后衰减,说明制备多孔硅存在最佳腐蚀液浓度。实验中,对应腐蚀电流密度50mA/cm2,腐蚀时间1 Omin,相对理想的腐蚀液配比是V(HF):V(C2H5OH)=1:3。对于相同的腐蚀液浓度和腐蚀电流密度,随着腐蚀时间的增加,多孔硅的光致发光强度先增加后衰减,说明制备多孔硅存在最佳腐蚀时间。对于腐蚀溶液为V(HF):V(C2H5OH)=1:1,电流密度为10mA/cm2,比较理想的腐蚀时间是15min。实验中发现,随着实验条件不同,多孔硅的发光峰位有“红移”也有“蓝移”现象,峰位发生移动可能是由多孔硅的表面态引起。多孔硅放置过程中,其发光性能会衰减,但对样品进行后处理能改善其发光稳定性。实验所得的数据和规律,可以用量子限制模型和发光中心模型解释,但多孔硅的光致发光跟表面态也有密切关系。多孔硅的制备存在最佳条件,不同条件下制得的样品其发光强度和峰值不同。为了获得性能更好的多孔硅,可以通过改善制备条件,以及对样品做后处理实现。