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基于胶体量子点(Colloidal quantum dots,QDs)发光材料的量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)是显示领域的重点发展方向。QLED不仅具备有机发光二极管显示技术的优点,还具有色纯度高和溶液加工性能优异等特点,更有利于应用在高色域、低成本、大面积显示(特别是电视)方向。但是,目前QLED技术还普遍存在空穴和电子注入/传输不平衡等问题,导致器件的性能还无法满足实用要求。本论文针对QLED中载流子不平衡的问题,从抑制过多电子传输及增强空穴传输的两个思路来提出研究方案,以达到提高QLED器件性能的目的。在抑制电子传输方面,我们首次使用有机小分子电子传输材料掺杂在Zn O纳米粒子中作为QLED器件的电子传输层,提升了QLED器件的发光效率。以Li Q(Lithium 8-quinolate)掺杂Zn O为例,通过优化掺杂比例,获得了最大电流效率(Current efficiency,CE)为8.07 cd/A和最大外量子效率(External quantum efficiency,EQE)为7.74%的正装红光QLED,相比未掺杂Li Q的器件,分别提升了1.93倍和1.94倍。为了研究在Zn O中掺杂Li Q小分子提高QLED器件性能的原因,我们对Zn O掺杂Li Q后的薄膜形貌以及能级结构的变化情况、器件的载流子平衡变化情况、以及Li Q掺杂导致的QDs与Zn O接触界面的光物理过程变化情况进行了深入研究。我们发现Li Q的掺杂的确能有效地抑制Zn O的电子传输特性,平衡载流子的传输;同时也能一定程度抑制量子点与Zn O接触后发生的激子淬灭效应,提高QLED器件发光性能。我们进一步研究小分子TPBi(1,3,5-tris(Nphenylbenzimidazol-2,yl)benzene)和BPhen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)作为Zn O的掺杂剂,发现TPBi的掺杂同样可以获得红光QLED的性能提升,但表现没有Li Q掺杂的器件优异,最大CE为6.60 cd/A,最大EQE为6.15%,这主要是因为TPBi相对于Li Q对Zn O能级的影响较弱,对促进电子和空穴的载流子平衡有限。尽管BPhen的掺杂也能提高电子注入势垒,阻挡多余的电子注入,但由于BPhen的玻璃化转变温度太低,容易结晶,对Zn O薄膜的成膜质量造成影响,导致器件性能不仅没有提高,反而降低了。因此,在选择掺杂剂时,有机小分子材料的玻璃化转变温度也需要进行合理匹配。在增强空穴传输方面,基于Cu SCN具有较高的空穴迁移率和较深的价带顶端能级,我们首次在QLED中设计了Poly-TPD(Poly(N,N′-bis(4-butylphenyl)-N,N′-bis(phenyl)-benzidine))/Cu SCN/PVK(Poly(9-vinlycarbazole))三层空穴传输层(Hole-transporting layer,HTL),使QLED形成空穴阶梯注入势垒,进而来增强空穴的注入与传输,提升QLED的性能。通过三层HTLs的使用,正装绿光QLED的最高CE和最高功率效率分别达到了14.89 cd/A和9.04 lm/W,相比单层Poly-TPD空穴传输层器件,分别提升了76.0%和29.9%;而相比单层PVK空穴传输层器件,分别提升了13.1%和24.9%。性能提升的主要原因是Poly-TPD/Cu SCN/PVK三层HTLs的搭配形成了良好的梯状递增势垒,有效降低了空穴注入势垒,从而实现了高效的空穴注入,与此同时,Cu SCN高的空穴迁移率也为器件的空穴传输能力带来了提升。我们还分别研究了三层HTLs中PVK和Cu SCN层的厚度对器件性能的影响,发现了Cu SCN导致QDs发光淬灭的现象,而这种现象可通过嵌入一定厚度的PVK层来有效抑制。但是,Cu SCN导致QDs发光淬灭现象的理论机制还需要更深入的研究。