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本文研究了Al/Al_2O_3/Si和Al/HfAlO/Si型的金属-氧化物-半导体(MOS)电容的电学特性。通过深能级瞬态谱(DLTS)和高频电容-电压(CV)测试,并配合理论模拟,对样品的界面特性和退火特性进行了系统的研究。其主要结果如下:1.通过对Al_2O_3样品和不同组分比的HfAlO样品进行CV测试,发现在N_2和N_2/H_2混合气体中退火会给氧化层中引入一定量的正电荷,并且慢界面态的密度也会在退火后减少很多。2.提出对于MOS电容的界面缺陷,用DLTS测量的时候,