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Ge-S体系玻璃/薄膜是一种处于亚稳态长程无序的材料,由于其内部存在的各种缺陷和特殊的键结构,极易在热处理、光照、电磁辐射和粒子束轰击时发生改变,而导致硫系玻璃材料的性质发生变化。此外,因为其较高的玻璃转变温度和较宽的光透过范围,Ge-S体系玻璃/薄膜在红外透过、静电印刷、全息照相以及光开关等领域具有巨大的潜在应用价值,成为目前硫系玻璃研究领域的一个热点。本文分别选用GeS4块体玻璃和GeS6非晶薄膜作为研究对象,分别研究了它们在亚带隙光辐照条件下的光致变化现象,运用X射线衍射、Raman光谱、扫描电子显微镜、EDS能谱等对样品的组成和结构进行分析,运用紫外-可见光谱仪、光学二阶非线性测试仪对样品辐照前后的光致变化进行表征,探讨了其发生机理。主要研究结果如下：1.利用GeS4玻璃本身的光折变特性,在线性偏振光辐照条件下玻璃诱导实现了光致布拉格反射镜,并发现激光功率密度的增加能够提高光折变响应速率；2.通过线性偏振光对GeS4玻璃的诱导作用,观察到了玻璃中光致二阶非线性现象的发生,并用偶极子取向模型进行了解释,初步认为玻璃中光致二阶非线性与光致各向异性现象的原理基本一致；3.采用532nm线性偏振光对GeS6薄膜进行辐照处理,由于薄膜中孤对电子被激活,导致缺陷的产生,使薄膜吸收增大和光学带隙红移,在GeS6薄膜中观察到了光致暗化；4.采用Swanepoel模型对GeS6薄膜的透过谱进行研究,证明GeS6薄膜折射率随光照时间延长而增大；5.由于硫系玻璃良好的结构韧性和内部错键及配位缺陷的存在,光照结束后释放能量使结构趋于稳定,观察到样品中发生弛豫现象。