半导体光电器件(如探测器、激光器、发光二极管等)的宏观性能如Ⅰ-V曲线、光电流响应、功率的好坏,由其内部的一些微观机制控制,诸如载流子分布和表面势空间分布等。如果没有能够探测或者表征这些内部微观结构的有效实验方法,那么我们得出的量子器件性能的影响因素就只能停留在主观猜想层面上。以量子级联探测器为例,制成器件之后宏观性能与哪些因素有关?我们就需要探究一下器件的内部结构,需借助于电镜和AFM。本论文中,我们对InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的衬底、缓冲层和有源区进行了非常细致的测量,首先用2%的30mL四甲基氢氧化铵溶液对解理后的样品横截面进行选择性腐蚀,将缓冲层腐蚀一定的深度,然后利用AFM接触模式对处理后的样品进行非常细致的形貌扫描测试,测得了3um×3um的样品形貌图,包括衬底、缓冲层和有源区,但是对有源区超晶格区域的深入扫描没有取得相应的进展。在对InAs/GaSb Ⅱ型超晶格样品进行AFM接触模式测试之后,我们总结经验并找到了改进方法,比如对样品横截面进行抛光处理、采用更先进的布鲁克Icon AFM仪器和进行更为细致的分布电阻(SSRM)测试等。改进实验工艺和方法后,我们对InGaAs/InAlAs量子级联结构样品进行了精细的扫描分布电阻(SSRM)测试,并成功得到了其有源区周期性形貌图、分布电阻轮廓图和一维横向分布电阻曲线图。最后我们根据得到的一维电阻分布曲线,分析各层的电阻值与材料生长中的掺杂浓度完全一致并且成功测出周期结构中掺杂和未掺杂区域的清晰界面,且测量得到的周期厚度与设计的厚度完全一致。