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共振纳米结构因具有定向散射光的特性,被广泛用于制备有效的抗反射涂层,随着纳米阵列结构制备工艺的迅速发展,通过在材料表面制备一层共振纳米结构可以针对特定波段增强吸收的“光管理”作用被广泛应用于光电领域。砷化镓（GaAs）光电阴极因其高灵敏度、分辨率和信噪比等优点,被作为负电子亲和势光电阴极材料广泛研究,通过在器件表面制备一层光学共振纳米结构,以阵列结构本身作为有源区,可大幅度提升有源区光吸收率,还能降低光电子的输运距离。纳米结构的形状、尺寸、分布及光学常数等都是影响其光学共振特性的重要参数,如何对这些参数进行精确控制以获得满足实际应用要求的共振光学调控效应是当今需要解决的主要技术难点之一。本文首先通过FDTD建立GaAs光学共振纳米结构模型,加以合理的边界条件,得到具有共振效应的合适尺寸的纳米阵列结构,然后纳米压印技术和SiO2纳米球自组装法在GaAs表面制备一层刻蚀所需的阻挡层,然后利用感应耦合等离子刻蚀（ICP）得到GaAs光学共振纳米结构,通过对结果的光学特性进行了测试分析,得到反射率最低为5%的光学共振纳米结构。纳米阵列结构的制备工艺主要分为四个部分,第一部分为纳米压印制备阵列掩膜层,得到符合实验要求SiO2阵列掩膜层,第二部分为SiO2纳米球自组装法制备阵列掩膜层,首先使用St?ber法制备单分散SiO2纳米球,通过分析反应时间对纳米球合成的影响制备出了目标粒径SiO2纳米球,然后分别采用旋涂法、垂直沉积法和气液界面法制备纳米球薄膜,通过分析GaAs表面亲水性和纳米球质量分数对旋涂法的影响,温度对垂直沉积法的影响以及纳米球质量分数对气液界面法的影响,得到了紧密排列的单层SiO2纳米球薄膜掩膜层;第三部分为刻蚀制备纳米阵列,利用制备得到的掩膜层为刻蚀阻挡层,通过ICP刻蚀GaAs制备得到纳米阵列结构,分析平板功率和N2在GaAs刻蚀中的影响,制备得到表面形貌好的GaAs纳米阵列,最终通过微区光学反射测试,验证了其光学共振特性,为光学共振纳米结构在光电领域的应用提供了基础。