本文根据PET基Si O2薄膜的特点,以提高结合强度为目的,提出了该薄膜过渡层的设计思路。采用磁控溅射技术制备了PET基Si O2薄膜,并就不同材料、层数的过渡层及其制备、后处理工艺对PET基Si O2薄膜结合强度的影响进行了系统地研究。通过磁控溅射技术制备了具有不同过渡层的PET基Si O2薄膜,研究了过渡层的材料和层数对该薄膜结合强度的影响,结果表明:过渡层材料为Mg O时Si O2/PET复合膜的结合力最高,比无过渡层时提高82%,而Ti O2、Al2O3为过渡层时分别提高65%、73%;双层结构的过渡层可进一步提高复合膜的结合力,较单层过渡层时提升4.58%~12.89%。研究了Mg O过渡层制备工艺参数对Si O2/Mg O/PET复合膜结合强度的影响规律,结果表明:结合强度随本底真空度的增高而增大,随射频功率、氩气流量、溅射时间的增大而呈现先增大后减小的变化规律;按对结合强度的影响由大到小的顺序,Mg O过渡层的制备参数可排列为:本底真空度>射频功率>氩气流量>溅射时间;本底真空度0.5×10-3Pa、射频功率250 W、氩气流量20 m L·min-1、溅射时间12 min参数下制备的过渡层,复合膜的结合强度最高。同时,还研究了Mg O过渡层不同的后处理工艺参数对Si O2/Mg O/PET复合膜结合强度的影响规律,发现:过渡层经过后处理的复合膜结合力比未处理的提升25.6%;过渡层后处理工艺中,复合膜的结合强度随溅射时间、本底真空度的增大而增大,随射频功率和氩气流量的增大先增大后减小;其中,射频功率对结合强度的影响最大,本底真空度次之,然后是溅射时间和氩气流量;过渡层最佳后处理工艺为射频功率60 W、本底真空度0.5×10-3Pa、溅射时间300s、氩气流量15 m L·min-1。