【摘 要】
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本文采用基于密度泛函理论的第一性原理全势能线性缀加平面波方法(FLAPW),考虑自旋轨道耦合效应,对Bi2Te3-xSex(x≤3)同晶化合物的电子特性进行理论研究。计算结果表明：自旋轨
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本文采用基于密度泛函理论的第一性原理全势能线性缀加平面波方法(FLAPW),考虑自旋轨道耦合效应,对Bi2Te3-xSex(x≤3)同晶化合物的电子特性进行理论研究。计算结果表明：自旋轨道耦合效应对体系费米能级附近能带结构的影响很大；Bi2Te3、Bi2Te2Se、Bi2Se2Te、Bi2Se3均为间接带隙窄带半导体；体系费米能级附近的电子态密度主要来源于各原子p态电子贡献；层间原子成键,X(1)-Bi键比X(2)-Bi键(X=Te,Se)的共价键成份较强；随着体系中Se原子摩尔比的增加,Te(1)-Bi键、Se(2)-Bi键、Se(1)-Bi键的共价键成份逐渐增强。同时利用密度泛函理论在B3LYP/LANLADZ水平上对BinTem(n+m=3,5)小团簇的几何构型和稳定性进行了系统的研究,计算结果表明：团簇的稳定性Bi4Te>Bi2Te3>Bi3Te2>BiTe4,化学活性Bi2Te3>Bi4Te>Bi3Te2>BiTe4,且Bi2Te3小团簇的基态结构与Bi2Te3的晶胞结构相同也为层状结构。
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