一种高产率的CdTe纳米线的制备及荧光传感Hg2+和Cu2+

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自无机发光纳米材料具有的独特光电性质被认识以来,人们已开展了一系列广泛的研究。由于量子限域的差别,相似组成的某些一维发光材料与零维发光材料相比,在光电性能及稳定性等方面有显著不同。目前,高产率一维材料的可控制备还有诸多困难,基于一维材料的传感系统相对较少亟待开拓。本论文以目前纳米线的相关研究为基础,优化了一维CdTe纳米线的制备条件,考察了该制备过程中各种因素对纳米线形成的影响,构建了 Hg2+和 C u2+荧光传感体系。具体内容如下:  第一章绪论,从荧光传感法和荧光传感器的相关概念入手,接着综述了目前纳米线的性质、制备方法及应用,最后提出了论文设想。  第二章,参考相关文献,利用CdTe量子点(只用巯基乙酸做修饰剂)为原材料,结合使用对苯二甲醛和乙醇,采用自组装法合成了高产率的一维C dTe纳米线。然后我们进一步表征了相关形貌及其它光谱性质,探讨了可能的形成机理。  第三章,根据Hg2+和C u2+对C dTe纳米线产生荧光猝灭的实验事实,我们构建了荧光强度和荧光波长传感体系,并对具体测定过程进行了优化。  第四章,全篇总结和展望。
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