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掺锡氧化铟(ITO)薄膜是一种高度简并的n型半导体材料,电阻率大约为2-4×10~(-4)Ω·cm,它是一种宽带隙(3.3-4.3 ev)的半导体材料,在可见光和近红外光区具有高的透过率,所以它在诸多领域内获得了广泛的应用。近年来随着信息产业的兴起,平板显示技术获得了高速发展,镀有ITO膜的透明导电玻璃作为平板显示器件的基础材料,更加受到人们的重视。因此,开展透明导电薄膜的制备及其特性研究有很好的实际意义。本论文针对透明导电薄膜的制备、通电后薄膜的性能稳定性等方面展开研究,具体内容有:首