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微环激光器是半导体激光器的一种，可以用多种设计方法进行工艺制备。由于微环器件具有光学双稳态特性，这是光学存储的基础特性，所以研制微环器件的目的是掌握其双稳态特性，并通过多环甚至环形阵列等结构来实现全光存储等功能。
本文采用InP衬底的多量子阱激光器外延材料，利用经典的半导体工艺，研制出形状不同的半导体微环激光器样品，并采用两种不同的方法对所研制的器件进行了测试。
本文所做的主要工作有：
1.通过微环激光器的约束方程计算得到多种合理的直波导和环波导尺寸以及两者之间的耦合距离，并用L-edit软件画出所要制作的微环激光器版图。
2.按照版图的设计利用干法刻蚀，光刻等半导体工艺加工出成品。
3.对所研制的器件进行测试。首先用检测光的方法对激光器进行测试，将环形波导置于正偏模式以实现光的激射，然后利用临近的直线光波导进行耦合将光信号输出，用光纤与直线波导端口耦合的方法测试可得到环形激光器的光功率-电流特性曲线和激光光谱。此类激光器出现了良好的光学双稳态特性，并且在61mA时，器件激光的波长为1550nm，满足光通信的要求。第二种测试方法是通过检测置于直波导两端PD(光探测器)上光电流的大小，利用光电流和发光功率成正比的关系得到环形激光器的光功率-电流特性曲线。在此测试方法下，测得了全新的不存在双向传输区的光功率-电流特性曲线，这样可以大大降低激光器的阈值电流。为下一步实现光逻辑和光存储的基本功能打下了良好的基础。