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氧化锌(ZnO)是一种宽带隙(室温下3.3eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,激子结合能为60meV,具有六方纤锌矿结构。ZnO薄墨菊有良好的透明导电性、压电性、光电性、气敏性和压敏性,且易于与多种半导体材料实现集成化。由于这些优异的性质,使其具有广泛的用途和许多潜在用途,如声表面波器件、平面光波导、透明电极、紫外光探测器、压电器件、压敏器件、紫外发光器件和气敏传感器等。近年来,对其研究和开发在国内外科学界及工业部门引起了极大的关注和兴趣。本文通过采用脉冲激光沉积法在单晶Si(100)衬底上生长了