集成电路工艺过程中,由于不确定性和随机误差或梯度误差等原因,产生一些理论上完全一样的MOS管,在实际上是有偏差的,这种偏差就称为器件的不匹配。不匹配特性极大地影响模拟电路的特性,它的精确描述对于模拟电路设计具有很重要的意义。工艺参数的分布会引起器件结构参数和电学参数变化。随着半导体技术不断发展,加工尺寸不断缩小,工艺参数的分布导致的器件电学参数分布,直接引起电路不匹配以及成品率的降低,工艺参数导致的器件不匹配成为设计过程中必须考虑的因素。随机的器件不匹配在模拟电路设计中起了很重要的作用,主要是由随机误差造成的,而这种随机误差是由集成电路工艺引起的误差。因此MOS晶体管的精确模型对于分析整个电路的性能有很重要的意义。这篇论文讲述了模拟集成电路设计中关于MOSFET不匹配特性的一些基本概念以及随着加工尺寸的不断减小,MOS管所引起的一系列短沟道效应,进而描述了整个MOS管模型的发展历史,来说明一个精确的模型对模拟电路设计的重要意义。然后进一步阐述了MOS管的失配所引起的电路性能的变坏,尤其是对整个D/A转换器性能的影响,进而采用了改进技术,并且对这种技术进一步验证。针对放大器所引起的失调,介绍了版图设计方法消除失配的原理,并且运用电路设计方法进行消除,采用TSMC0.25μm标准CMOS工艺参数对其进行仿真验证。针对D/A的电流源失配所引起的电路性能的变差,采用了电流源自校准技术,并对这种方法进行仿真验证,能够取得不错的成果。