论文部分内容阅读
随着电子产品朝高集成度、小型化的方向发展,电子产品中的芯片所需要承受的电流密度越来越高,导致芯片的发热量随之增加,其服役温度上升。现有的半导体材料单晶Si做成的芯片在高于150℃时就不能稳定的工作,与Si材料相比,Si C材料的服役温度高,并且能够在600℃稳定的工作,因此Si C材料作为下一代半导体材料被广泛的关注。但是目前能够用于连接这种半导体材料做成的芯片的粘贴材料却少之又少。本文的目标是研究并开发一种新的芯片互连材料用于连接Si C芯片与基板,使Si C芯片可以充分发挥其在高温下稳定工作的能