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电介质材料是电子和微电子器件等的核心材料,电子技术的快速发展对电子元器件的性能提出了更高的要求,相应的便对电介质材料的性质提出了更高的要求。巨介电材料指的是介电常数大于1000的材料,由于其介电常数大,所以使用巨介电材料所制成的电子元器件便可以在更小的体积内储存更多的电荷和能量,使得器件的尺度大大缩小,集成度大大提高。虽然许多电介质材料的介电常数已经完全足够达到器件小型化的要求,但是由于其温度稳定性较差,所以无法实际应用。后来在Ca Cu3Ti4O12和复合钙钛矿材料A(Fe0.5B0.5)O3(A=Ba,Ca,Sr;B=Ta,Nb,Sb)中发现了巨介电常数台阶的现象,人们围绕着这一现象展开了许多研究。实验中发现CSTF-CBO(B=Ti,Mn)复合陶瓷中具有类似于Ca Cu3Ti4O12的巨介电台阶的现象,这使得其在一定的温度范围内同时具有较高的介电常数和较好的温度稳定性。为了探究其巨介电台阶的起源,需要对其性质进行了深入的研究。本论文首先采用传统的固相反应法制备CSTF-CBO(B=Ti,Mn)系列的复合陶瓷,对制备的流程进行详细的介绍。然后用扫描电子显微镜观察了所制备陶瓷的微观形貌,研究其晶粒结构、致密性和相组成等信息。然后通过对样品的X射线衍射图谱的分析,研究其微观结构和相组成,以及二者随组分的变化关系。测试CSTF-CBO(B=Ti,Mn)系列复合陶瓷的介电性能。测量样品的介温谱和损耗谱,通过分析介电损耗峰的位置获得其介电弛豫的激活能,测量样品的X射线光电子能谱仪图谱,分析样品中元素的价态,借此研究该系列陶瓷介电弛豫的起源及变化规律,分析巨介电台阶的成因。最后用振动样品磁强计测量CSTF-CBO(B=Ti,Mn)系列复合陶瓷的磁滞回线,分别给出磁性随组分的变化规律,并分析变化产生的原因。测量样品在微波波段的相对介电常数和相对磁导率,计算反射损耗,表征其对微波的吸收性能。