Al/a-Ge薄膜体系分形晶化及电性能研究

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该论文利用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)系统地研究了Al/a-Ge双层膜样品在不同退火温度、退火时间、不同膜存比和不同蒸镀衬底等条件下的微结构和分形晶化行为的变化规律,并测量、分析了分形结构的产生对该双层膜体系电输运性质的影响.实验结果表明:Al/a-Ge双层膜中a-Ge的晶化行为与膜中金属Al的含量、颗粒度和双层膜的界面状态等因素密切相关;同时,分形形态的形成也强烈地依赖于双层膜中Al、Ge的原子成分配比(膜厚比)、退火温度及退火时间等因素.另外,分形的形成对体系的电输运性质产生了非常有趣的影响.
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