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自从石墨烯被制备出来,其理论和实验研究已比较完备,人们开始关注其他二维纳米材料。通过可靠的理论计算发现二维碳化硅(SiC)结构也是平面结构,是一种宽带隙的半导体。通过某些可行办法调整SiC结构带隙,对其在光电子器件中的应用具有重要影响。研究发现对于二维材料如石墨烯和BN平面,钝化会改变结构的带隙,甚至会转变为金属材料。本文首先研究了氢化和氟化对SiC结构的影响,由于SiC中含有两种原子,所以在氢化和氟化有很多选择,具体内容包括以下几个方面:一,首先我们先对SiC进行了全氢化和半氢化,对于全氢化体系我