本文对含双杂质的一维量子导线的电子输运问题做了较系统的研究，并得出了一些重要的结论，对量子器件的设计提供了重要的理论指导。 首先，本文介绍了这个含双杂质的一维量子导线模型，并借助于一系列能量参数来表征这个模型的特征。同时基于这个模型的特点，采用了单通道散射理论，而且在紧束缚近似下，采用了转移矩阵法，从而求得了该模型的几个重要物理量的解析解：束缚态，透射系数和态密度的变化量。 其次，为了能更好地理解这种含双杂质的一维量子链的输运性质，先回顾了更简单的单杂质模型的输运性质。然后，对杂质与两端的耦合对称的双杂质模型进行了详细的研究，重点讨论了束缚态和透射系数最大值之间的密切联系，态密度的变化量与透射系数之间的联系。最后根据透射系数最大值随杂质—链间耦合强度变化过程中出现的一些急剧跳变结构，提出了一种新的设计量子开关的机理。 最后，本文对所作的研究进行了总结，得出了一些重要的结论，并对分子器件的设计提出了一点构想。