【摘 要】
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该论文采用脉冲激光沉积(PLD)法,重点研究了两种过渡金属氧化物薄膜电极材料的制备及其电化学性能.一种是作为阴极材料的由NiO与VO组成的复合氧化物薄膜;另一种是作为阳极材
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该论文采用脉冲激光沉积(PLD)法,重点研究了两种过渡金属氧化物薄膜电极材料的制备及其电化学性能.一种是作为阴极材料的由NiO与V<,2>O<,5>组成的复合氧化物薄膜;另一种是作为阳极材料的基于氧化铁的薄膜,包括Fe<,2>O<,3>薄膜和NiFe<,2>O<,4>薄膜.1、NiO-V<,2>O<,5>复合氧化物薄膜及其电化学性能的研究.结果表明在第一次嵌锂过程中存在一步不可逆的电极反应,可能对应于NiO被还原为金属Ni的反应.复合薄膜电化学性能的改善可能与NiO的加入引起薄膜结构和表面形貌的转变以及电化学反应过程中NiO被还原为金属Ni并分散在V<,2>O<,5>基质中有关.2.基于氧化铁的薄膜及其电化学性能的研究.对PLD法制备氧化铁薄膜的沉积条件,包括沉积温度、环境气氛和靶材料等,对薄膜性能的影响进行了研究.结果表明,在14Pa O<,2>气氛中,在温度为400℃的不锈钢基片上沉积的氧化铁薄膜电化学性能较好,靶材料为金属铁粉时经反应性脉冲激光沉积所得的薄膜性能优于氧化铁粉末作靶的薄膜.在尝试采用掺入NiO以改善氧化铁薄膜电化学性能的过程中,由PLD法制备出一种NiFe<,2>O<,4>薄膜.初步的电化学测定表明,该薄膜在充放电曲线上在0.5V和0.1V附近有两个放电平台;但是在上述相同的沉积条件下在不锈钢基片上获得的NiFe<,2>O<,4>薄膜比容量较小,并且放电曲线中仅在0.5V处有一个放电平台,与氧化薄膜的放电平台相近.
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