介质/金属/介质多层膜（DMD）光电性能较好,制备过程简单不会造成污染,具有较好的透光性能和导电性能,而且相较于ITO薄膜,可以应用于柔性电子器件领域。进一步提高DMD多层膜的光透过率和导电性能具有一定意义。本课题的主要目的是探究如何利用纳米颗粒铜膜提高DMD多层膜光电性能。围绕这个目的,进行了以下工作:首先我们要对纳米Cu颗粒膜的特性进行研究;我们探究了纳米Cu颗粒膜的等离激元共振效应以及氧化规律,使用真空蒸发镀膜方法制备了纳米铜颗粒膜,并在氮气及氧气氛围下对纳米铜颗粒膜进行高温退火,然后通过紫外-可见吸收光谱、XPS、SEM及Laman光谱仪,研究了样品的吸收谱变化、表面形貌、成分比例和样品拉曼增强效果,分析了样品的结构、成分以及退火过程的影响。研究发现氮气退火可以使CuNPs产生较为明显的吸收峰（600nm-700nm）,通过SEM、XPS及Laman光谱仪表征确定该峰为Cu膜的等离激元共振峰,当Cu膜的等离激元共振峰位与拉曼激光波长一致时,显示出了较强的表面增强拉曼散射现象。该峰来源于退火Cu膜表面的CuNPs@Cu2O核壳结构,使Cu膜具有较强的拉曼增强效果,同时低温低氧环境下,Cu的氧化产物倾向于Cu2O;高温高氧环境下,Cu的氧化产物倾向于CuO。在纳米Cu颗粒膜的研究基础上,我们使用Cu预沉积层以及提高Ag膜沉积速率的方法对TAT三层膜进行了优化,所制备的30nm TiO2|0.1nm/s-0.5nm Cu|0.2nm/s-7.8nm Ag|30nm TiO2,光电性能优越,370到800nm的平均透射率达到92%,方块电阻低至6.3Ω/sq,且在六个月时间内,样品光电性能没有明显劣化。结果表明,使用纳米铜作为预沉积层可以明显提高TAT透明导电薄膜的导电性和光透过率,提高TAT在光电显示领域的应用潜力。通过SEM对样品的表面结构进行了分析,Cu预沉积层以及提高Ag膜沉积速率可以提高Ag膜表面质量,大幅度提高Ag膜表面连续性;从而提升了TCAT多层膜光电性能。本研究对理解纳米Cu颗粒加热氧化过程以及等离激元共振特性有重要的意义,同时促进了DMD多层膜在光电领域的应用。