【摘 要】
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该文采用实验的手段考察了化学机械抛光(CMP)用SiO浆料的制备过程中水溶液pH值、分散工艺、机械搅拌时间和搅抖转速、母液浓度、分散系最终pH值、表面处理等因素对浆料的制备
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该文采用实验的手段考察了化学机械抛光(CMP)用SiO<,2>浆料的制备过程中水溶液pH值、分散工艺、机械搅拌时间和搅抖转速、母液浓度、分散系最终pH值、表面处理等因素对浆料的制备及性能的影响,优化了分散工艺,制备出了分散性、稳定性俱佳的SiO<,2>浆料.对最终得到的浆料进行应用实验,结果表明该浆料完全能够满足CMP加工要求.鉴于从研究体系的絮凝过程着手,找到絮凝过程的控制因素以控制絮凝的速度也是使SiO<,2>分散系稳定的一种有效手段,因此该文采计算机模拟的方法对絮凝过程进行了研究:以胶团-胶团扩散控制絮凝(Cl-ClDLA)模型为基础,建立了一种直观、简便的,以局部能量为判据的反应控制絮凝(RLA)模型,研究了RLA过程的絮凝规律;轴时在此基础上对特点介于DLA及RLA之间的絮凝过程进行了初步的研究,为高质量的SiO<,2>浆料的制备提供了理论指导.
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