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本文采用气溶胶辅助化学气相沉积（AACVD）法及旋涂法制备了氟掺杂二氧化锡（FTO）和还原氧化石墨烯（rGO）的异质结构复合薄膜（FTO/rGO/FTO）;采用物理转移法制备了石墨烯（Graphene,G）和FTO的复合薄膜（G/FTO）。采用X射线衍射仪（XRD）和透射电子显微镜（TEM）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外可见分光光度计、四探针方阻仪和霍尔效应测试仪研究了FTO/rGO/FTO复合薄膜的结构、形貌、光学和电学性能;采用拉曼（Raman）光谱、聚焦离子束（FIB）和TEM研究了G/FTO复合薄膜的结构、表面形貌和薄膜的元素分布等信息。采用了基于原子力显微镜（AFM）的开尔文探针显微镜（KPFM）和导电原子力显微镜（C-AFM）研究了FTO薄膜和G/FTO复合薄膜的形貌、接触电势差（CPD）、功函数和I-V曲线等信息。主要研究结果如下:FTO/rGO/FTO复合薄膜的光、电性能与rGO浓度有关。当其浓度为0.2 mg/ml时,方块电阻最小,约为6.4Ω/□,电阻率为3.90×10-4Ωcm,平均透过率保持在～73.1%,载流子浓度保持在～1020数量级。随着rGO浓度的增加,复合薄膜的平均透过率逐渐减小,不利于改善FTO薄膜的光学和电学性能。F元素均匀地分布在FTO薄膜中;rGO与FTO薄膜之间接触紧密,形成良好的接触界面。此外,和压缩空气相比,以压缩氮气为载气时,FTO薄膜的光、电性能更好。G/FTO复合薄膜的电学性能优于FTO薄膜,其电阻率分别为3.55×10-4Ωcm和3.78×10-4Ωcm。G与FTO薄膜接触时不受薄膜表面金字塔状晶粒高低起伏的影响,形成良好的紧密接触。FTO薄膜和G/FTO复合薄膜的接触电势差分别为-0.474 V和-0.441 V,两者功函数分别为5.329 eV和5.296 eV。与FTO薄膜相比,G/FTO复合薄膜的迁移率由21.26 cm2 V-1 s-1增加到23.82 cm2 V-1 s-1。FTO薄膜和G/FTO复合薄膜相应的接触势垒高度分别0.39±0.06 V和0.33±0.05 V,G/FTO复合薄膜的接触势垒高度更小。FTO薄膜中的电荷向石墨烯中转移,使得迁移率提高,接触势垒高度降低。