【摘 要】
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ZnO是物理化学性能优异的氧化物半导体，禁带宽度为3.37eV，激子结合能高达60meV，由于其化学性质稳定，易于制备且无毒、廉价，在光催化领域应用前景广阔。常见的ZnO光催化剂多为粉体，虽然光催化性能良好，但仍有些许不足：（1）不易回收利用；（2）禁带宽度较宽，对可见光利用率低；（3）光生电子-空穴对分离效率低。据此，以提高ZnO的光催化性能为目的，采用微波辅助低温溶液法制备了棒状ZnO微纳米阵
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ZnO是物理化学性能优异的氧化物半导体，禁带宽度为3.37eV，激子结合能高达60meV，由于其化学性质稳定，易于制备且无毒、廉价，在光催化领域应用前景广阔。常见的ZnO光催化剂多为粉体，虽然光催化性能良好，但仍有些许不足：（1）不易回收利用；（2）禁带宽度较宽，对可见光利用率低；（3）光生电子-空穴对分离效率低。据此，以提高ZnO的光催化性能为目的，采用微波辅助低温溶液法制备了棒状ZnO微纳米阵列及Ag/ZnO，研究了其光催化性能。该方法操作简单、绿色环保。主要结论具体如下：首先，以硝酸锌
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