【摘 要】
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（1）在国际上首次把脉冲电化学腐蚀方法用于第Ⅰ多孔硅微腔的制备,获得了层结构平整和光发射得到改进的多孔硅微腔.该文提出的制备多孔硅微腔的新方法还能在中心层得到直径为10n
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（1）在国际上首次把脉冲电化学腐蚀方法用于第Ⅰ多孔硅微腔的制备,获得了层结构平整和光发射得到改进的多孔硅微腔.该文提出的制备多孔硅微腔的新方法还能在中心层得到直径为10nm左右、沿着腐蚀方向排列的高发光效率的硅柱.（2）首次报道了硅基有机微腔的电致发光（EL）.该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜（PS-DBR）组成.半透明金属膜由Ag（20nm）构成,充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜.有源多层膜由Al（1nm）/LiF（0.5nm）/Alq<,3>/Alq<,3>:DCJTB/NPB/CuPc/ITO/SiO<,2>组成,其中的Al/LiF为电子注入层,ITO为正电极,SiO<,2>为使正、负电极隔离的介质层.该文制作有机微腔并提高其色纯性的方法可能是实现全硅基有机光子器件或光电子器件集成较有效的一种新途径.
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